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《第261回講演会》
[趣旨]
フォトレジストの高性能化にはフォトレジストの構造解析が必要不可欠である。本講演会ではフォトレジ ストなどの反応性高分子材料の構造解析を中心に、化学分析や構造解析に関する最新の研究開発について4 件の講演を企画した。
講演会は終了しました。
1. 13:00 ~13:50 (講演45分、質疑応答5分) |
「レジスト薄膜における分析技術の進歩」 | ||
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(株)東レリサーチセンター | 萬 尚樹 氏 | ||
半導体レジストは膜厚が薄いため、その状態で化学構造や膜質、不純物などの分析手法が限られる。本講演で は、露光・PEB等のプロセスに伴う化学構造や膜中の自由体積の変化などを把握するために有効な分析技術と、微 量元素の分析について、最新の分析技術を含め紹介する。 | |||
<キーワード>GCIB、TOF-SIMS、陽電子消滅寿命測定法、ICP-MS、レーザーアブレーション | |||
【 休 憩(10分)】 | |||
2. 14:00 ~14:50 (講演45分、質疑応答5分) |
「有機物の組成を明らかにするために」 | ||
(株)東レリサーチセンター | 虎谷 秀一 氏 | ||
レジスト等の工業材料は一般的に多くの化合物から構成される混合物であるが、この材料中に、何がどの位の量で 含まれているのかを調べることは容易ではない。いかにこれらを分離して、測定・解析を行うかが重要である。弊社は 前処理の技術、スペクトル解析力、独自データベースの豊富さにより、高いレベルの有機組成分析を実施している。こ こでは有機組成分析と、最新装置を用いたより詳細かつより微量の構造解析について、具体例を挙げて紹介する。 | |||
<キーワード>有機組成分析、接着剤、洗浄液、金属錯体、異物分析 | |||
【 休 憩(10分)】 | |||
3. 15:00 ~15:50 (講演45分、質疑応答5分) |
「高分子薄膜積層体における表面/局所の分析評価技術」 | ||
(株)日東分析センター | 村上 修一 氏 | ||
反応性高分子材料は、フォトレジストはじめ光学部材や機能性テープへ多用されており、その設計検証および故障 解析として積層・接着界面の分析評価が必須である。本発表では、これらの場の評価手法として列挙される表面分析 (TOF-SIMS等)および局所物性評価(ナノインデンター等)を用いた複合解析事例を中心に紹介する。加えて、近年弊 社が技術確立した表面残存C=C基の評価手法、接着界面を非破壊で評価可能な和周波発生分光法についても報 告する。 | |||
<キーワード>分析、表面、界面、局所物性、複合解析 | |||
【 休 憩(10分)】 | |||
4. 16:00 ~16:50 (講演45分、質疑応答5分) |
「イオン注入後のレジストの化学構造とその除去性」 | ||
大阪公立大学 | 堀邊 英夫 氏 | ||
従来の薬液を使用したレジスト除去方法に代わり、環境負荷の少ない湿潤オゾンおよび水素ラジカルを用いて、 B、P、Asイオンが5E12から5E15個/cm2注入されたノボラック系ポジ型レジストの除去を行った。レジストはイオン注 入によって、OH基、CH基およびO1sが減少し、C=CやC1s、π共役系が増加し炭化または架橋により硬化することが判明した。当日はイオン注入後のレジストの新規除去方法による結果についても紹介する。 | |||
<キーワード>イオン注入レジストの化学構造、レジスト除去性、湿潤オゾン、水素ラジカル |
1. 13:00 ~13:50 質疑応答含む |
「天然樹脂セラックからの細胞培養材料開発、光応答性の付与」 | ||
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名古屋工業大学 | 水野 稔久 氏 | ||
2. 13:50 ~14:40 質疑応答含む |
「小惑星内部で生じたガンマ線が生命の原材料を供給した可能性」 | ||
東京工業大学 | 癸生川 陽子 氏 | ||
【 14:40~15:00 休憩 】 | |||
3. 15:00 ~15:50 質疑応答含む |
「東レのシロキサンコーティング剤と実用化事例」 | ||
東レ株式会社 | 諏訪 充史 氏 | ||
4. 15:50 ~16:40 質疑応答含む |
「紫外線LEDの利用と今後」 | ||
日亜化学工業株式会社 | 山内 繁晴 氏 | ||
●17:00~18:30 懇 親 会 |
※プログラムは変更になる場合がございます
[1.参 加 費]
10,000円(協賛団体ご所属の方)
[2.お申込み]
研究会HP(http://www.radtechjapan.org/20241031/)よりお申し込み下さい。
《第262回講演会》
[趣旨]
光の活用がますます進んできており、光応答性高分子はますます重要になっている。今回は光信号により形状を制御できるアクチュエーター素子を用いたセンサーや、近年急速に注目が集まっているシリコンフォトニクスに向けたデバイス開発に向けたポリマー材料開発とともに持続可能な素材をベースにしたフォトニクスポリマーの開発など、新たなフォトポリマーの開発とそれらの応用について4つのご講演をしていただく。
[参加費]
会員:無料(オンライン開催は人数制限なし)
非会員:3,000円、学生:2,000円 (12月5日(木)までにお振込みください)
[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
[締め切り]
2024年12月5日(木)
1. 13:00 ~13:50 |
「高効率EO光学変調器を用いた大容量光伝送技術の開発」 | ||
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九州大学 | 横山 士吉 氏 | ||
将来の高速光ネットワーク技術に対応するため光変調デバイスの帯域拡大は重要である。最先端の開発状況を見ると様々な材料を使った光変調器の開発が進み、100 Gbaud(変調速度)を超える光信号生成と伝送が可能になってきている。また、10テラビット級(伝送速度)の光信号伝送の実現に向けて、産学で新たな材料研究やデバイス開発も活発化している。本稿では、高速光変調器の現状や課題、これを克服するための研究 状況を示し、光インターフェース機器の高性能化への貢献に向けた展望や課題について述べる。 | |||
<キーワード>高速光ネットワーク、光変調デバイス、光インターフェース、光ゾル-ゲル転移 | |||
【 13:50~14:00 休 憩(10分)】 | |||
2. 14:00 ~14:50 |
「セルロースを活用した持続可能なフォトニック材料」 | ||
東京理科大学 | 古海 誓一 氏 | ||
石油資源は約50年後に枯渇すると予測され、石油資源の依存から脱却し、天然資源(バイオマス)より機 能材料を創り出すバイオマスリファイナリーは必要不可欠である。本講演では、セルロースを活用して、カラフルな反射特性とフレキシブルなゴム弾性を併せ持った新しいコレステリック液晶エラストマー膜の創製と応用について紹介する。このセルロースの液晶エラストマー膜に機械的な圧縮力を加えると、圧縮した部 分だけ可逆的に変色し、力やひずみだけでなく、物体表面上の微小な凹凸も可視化することができた。 | |||
<キーワード>セルロース液晶エラストマー、コレステリック液晶、反射特性、ゴム弾性、可逆変色 | |||
【 14:50~15:00 休 憩(10分)】 | |||
3. 15:00 ~15:50 |
「フォトクロミック分子を用いた有機センサー材料の開発」 | ||
大阪公立大学 | 小畠 誠也 氏 | ||
フォトクロミック化合物は光に応答して分子構造が可逆に変化し、それに伴い色が変わる。その中でジアリールエテンは両異性体が熱的に安定であり、繰り返し耐久性に優れている。本講演では、このような分子を用いた紫外線センサー、温度センサー、フォトアクチュエーターについて紹介する。フォトクロミック分子を用いた紫外線センサーや温度センサーは電子回路を必要としない簡便なセンサーラベルとして利用で き、フォトアクチュエーターは微小なフォトクロミック結晶の動的形態変化である。 | |||
<キーワード>フォトクロミズム、紫外線センサー、温度センサー、アクチュエーター、結晶 | |||
【 15:50~16:00 休 憩(10分)】 | |||
4. 16:00 ~16:50 |
「極短距離光通信の実現に向けた光集積回路の開発」 | ||
NTT先端集積デバイス研究所 | 松尾 慎治 氏 | ||
情報通信・情報処理で扱うデータ量の増大、消費電力の増大が大きな問題となってきており、光インターコネクションの短距離化が強く望まれている。極短距離の光通信実現のためには、送受信素子の消費電力の削減に加え、電子集積回路と光集積回路を密接に集積する光電融合技術の進展が重要であり、光集積回路としてはシリコンCMOSの加工技術を用いたシリコンフォトニクス技術と化合物半導体光デバイスの異種材料集積が注目されている。また、光導波路として低損失なポリマー導波路等の実現の重要性等について述べる。 | |||
<キーワード>プリンテッドエレクトロニクス、金属ナノ粒子インク、金属錯体インク |
(C)2007- The Technical Association of Photopolymers,Japan