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1. 13:00 ~13:50 質疑応答含む |
「動的光重合による分子配向と高効率高分子合成」 | ||
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東京科学大学 | 宍戸 厚 氏 | ||
2. 13:50 ~14:40 質疑応答含む |
「有機フォトクロミック化合物の表面レリーフ形成材料への応用」 | ||
横浜国立大学 | 生方 俊 氏 | ||
【 14:40~15:00 休憩 】 | |||
3. 15:00 ~15:50 質疑応答含む |
「チオール系硬化剤・増感剤の使用方法と市場動向」 | ||
堺化学工業株式会社 | 山内 豊直 氏 | ||
4. 15:50 ~16:40 質疑応答含む |
「加飾技術の最新動向と今後の展望」 | ||
D plus F Lab | 伊藤 達朗 氏 | ||
●17:00~18:30 賀詞交換会 |
※プログラムは変更になる場合がございます
[1.参 加 費 用]
10,000円(協賛団体ご所属の方)
[2.お申込み]
研究会HP(http://www.radtechjapan.org/20250123/)
《2025年度総会》
《第263回講演会》
[趣旨]
次世代リソグラフィ技術(1件)、レジストの技術動向(2件)について講演を企画しました。半導体は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術です。この中で、リソグラフィ技術は重要な技術であり、EUV リソグラフィ技術、レジストの材料・プロセス技術量産の最新動向および今後の展開について解説頂きます。また、ご講演の後、ブレイクアウトルームで参加者と質疑応答を実施し、理解および交流を深めていただく機会を設けます。
[参加費]
会員:無料(オンライン開催は人数制限なし)
非会員:3,000円、学生:2,000円 (4月17日(木)までにお振込みください)
テキストはダウンロード方式とします。
[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
[締め切り]
2025年4月17日(木)
1. 13:30 ~14:30 |
「EUVリソグラフィの現状と課題」 | ||
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兵庫県立大学 | 渡邊 健夫 氏 | ||
EUV リソグラフィ( EUVL )技術は 2019 年より量産適用された。先端半導体製造では前工程の素子の3次元構造、並びに後工程の3次元実装が重要な技術となっている。前工程の微細加工技術では IRDS のロードマップによると 0.7 nm 世代まで EUVL が量産適用されることになっている。さらなる微細化に向けて、様々な技術課題がある。この技術の現状およびそれを取り巻く環境、並びに次世代のリソグラフィも含めた今後の展開について紹介していただく。 | |||
【 休 憩(10分)】 | |||
2. 14:40 ~15:40 |
「EUVレジスト材料の反応機構、高性能化と メタルレジスト材料の性能評価」 | ||
量子科学技術研究開発機構 | 山本 洋揮 氏 | ||
EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説していただく。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介していただく。 | |||
【 休 憩(10分)】 | |||
3. 15:50 ~16:50 |
「半導体産業の歴史と半導体用フォトレジストの開発」 | ||
大阪公立大学 | 堀邊 英夫 氏 | ||
半導体は、素子の集積率が高いほど高性能になり、回路の微細化が必須で、現在、一つの半導体の素子数は10億単位まで増え、微細な回路を描くのに不可欠な材料の一つが、フォトレジスト(以下レジストと略)である。半導体は、リソグラフィ工程と称される、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像)、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされる工程からなり、おおよそ20回から30回繰り返される。本講演では、あらためて半導体産業の歴史を振り返ってみたい。また、我々が現在開発している化学増幅型i線用厚膜3成分 (ノボラック樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤)ポジ型レジストの溶解抑制剤の化学構造とレジスト特性との関係について紹介する。 | |||
4. 16:50 ~17:00 |
ブレイクアウトルーム |
(C)2007- The Technical Association of Photopolymers,Japan