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会告

《第261回講演会》

日 時 :
2024年10月18日(金)13:00~16:50
会 場 :
大阪公立大学文化交流センター(Zoomによるハイブリッド開催)
〒530-0001 大阪市北区梅田1-2-2-600 大阪駅前第2ビル6階
テーマ :
『フォトレジストなどの反応性高分子材料の化学分析や構造解析について』

[趣旨]
フォトレジストの高性能化にはフォトレジストの構造解析が必要不可欠である。本講演会ではフォトレジ ストなどの反応性高分子材料の構造解析を中心に、化学分析や構造解析に関する最新の研究開発について4 件の講演を企画した。

[参加費]
会員:2名まで無料、3名以上は3,000円(ただし、オンライン参加は無料且つ人数制限なし)
非会員:参加方法にかかわらず3,000円、学生:参加方法にかかわらず2,000円
(10月10日(木)までにお振り込みください)
テキストはダウンロード方式とします。

[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
お申し込みの際は、参加方法(会場またはオンライン)を明記してください。

[締め切り]
2024年10月10日(木)

*詳細につきましては、後日参加者に通知いたします。

【プログラム】
1.
13:00
 ~13:50

(講演45分、質疑応答5分)
「レジスト薄膜における分析技術の進歩」
(株)東レリサーチセンター 萬 尚樹 氏
半導体レジストは膜厚が薄いため、その状態で化学構造や膜質、不純物などの分析手法が限られる。本講演で は、露光・PEB等のプロセスに伴う化学構造や膜中の自由体積の変化などを把握するために有効な分析技術と、微 量元素の分析について、最新の分析技術を含め紹介する。
<キーワード>GCIB、TOF-SIMS、陽電子消滅寿命測定法、ICP-MS、レーザーアブレーション
【 休 憩(10分)】
2.
14:00
 ~14:50

(講演45分、質疑応答5分)
「有機物の組成を明らかにするために」
(株)東レリサーチセンター 虎谷 秀一 氏
レジスト等の工業材料は一般的に多くの化合物から構成される混合物であるが、この材料中に、何がどの位の量で 含まれているのかを調べることは容易ではない。いかにこれらを分離して、測定・解析を行うかが重要である。弊社は 前処理の技術、スペクトル解析力、独自データベースの豊富さにより、高いレベルの有機組成分析を実施している。こ こでは有機組成分析と、最新装置を用いたより詳細かつより微量の構造解析について、具体例を挙げて紹介する。
<キーワード>有機組成分析、接着剤、洗浄液、金属錯体、異物分析
【 休 憩(10分)】
3.
15:00
 ~15:50

(講演45分、質疑応答5分)
「高分子薄膜積層体における表面/局所の分析評価技術」
(株)日東分析センター 村上 修一 氏
反応性高分子材料は、フォトレジストはじめ光学部材や機能性テープへ多用されており、その設計検証および故障 解析として積層・接着界面の分析評価が必須である。本発表では、これらの場の評価手法として列挙される表面分析 (TOF-SIMS等)および局所物性評価(ナノインデンター等)を用いた複合解析事例を中心に紹介する。加えて、近年弊 社が技術確立した表面残存C=C基の評価手法、接着界面を非破壊で評価可能な和周波発生分光法についても報 告する。
<キーワード>分析、表面、界面、局所物性、複合解析
【 休 憩(10分)】
4.
16:00
 ~16:50

(講演45分、質疑応答5分)
「イオン注入後のレジストの化学構造とその除去性」
大阪公立大学 堀邊 英夫 氏
従来の薬液を使用したレジスト除去方法に代わり、環境負荷の少ない湿潤オゾンおよび水素ラジカルを用いて、 B、P、Asイオンが5E12から5E15個/cm2注入されたノボラック系ポジ型レジストの除去を行った。レジストはイオン注 入によって、OH基、CH基およびO1sが減少し、C=CやC1s、π共役系が増加し炭化または架橋により硬化することが判明した。当日はイオン注入後のレジストの新規除去方法による結果についても紹介する。
<キーワード>イオン注入レジストの化学構造、レジスト除去性、湿潤オゾン、水素ラジカル
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《協賛講演会》 =第187回ラドテック研究会講演会=

期 日 :
2024年10月31日(木)13:00~16:40
会 場 :
早稲田大学121号館 コマツ100周年記念ホール
主 催 :
一般社団法人ラドテック研究会
【プログラム】
1.
13:00
 ~13:50
質疑応答含む
「天然樹脂セラックからの細胞培養材料開発、光応答性の付与」
名古屋工業大学 水野 稔久 氏
2.
13:50
 ~14:40
質疑応答含む
「小惑星内部で生じたガンマ線が生命の原材料を供給した可能性」
東京工業大学 癸生川 陽子 氏
【 14:40~15:00  休憩 】
3.
15:00
 ~15:50
質疑応答含む
「東レのシロキサンコーティング剤と実用化事例」
東レ株式会社 諏訪 充史 氏
4.
15:50
 ~16:40
質疑応答含む
「紫外線LEDの利用と今後」
日亜化学工業株式会社 山内 繁晴 氏
●17:00~18:30  懇  親  会

※プログラムは変更になる場合がございます

[1.参 加 費]
10,000円(協賛団体ご所属の方)

[2.お申込み]
研究会HP(http://www.radtechjapan.org/20241031/)よりお申し込み下さい。

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