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《２０２５年度総会》

日　時 ：
２０２５年４月２４日（木）１３：００～１３：２０
会　場 ：
オンライン開催（Zoom）
議　事 ：
1. 2024年度事業報告承認の件
2. 2024年度収支決算ならびに年度末貸借対照表承認の件
3. 2025年度事業計画および予算案承認の件
4. その他

《第２６３回講演会》

日　時 ：
２０２５年４月２４日（木）１３：３０～１７：００
会　場 ：
オンライン開催（Zoom）
テーマ ：
『次世代リソグラフィ技術の展開』

[趣旨]
次世代リソグラフィ技術（１件）、レジストの技術動向（２件）について講演を企画しました。半導体は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術です。この中で、リソグラフィ技術は重要な技術であり、EUV リソグラフィ技術、レジストの材料・プロセス技術量産の最新動向および今後の展開について解説頂きます。また、ご講演の後、ブレイクアウトルームで参加者と質疑応答を実施し、理解および交流を深めていただく機会を設けます。

[参加費]
会員：無料（オンライン開催は人数制限なし）
非会員：3,000円、学生：2,000円　
テキストはダウンロード方式とします。

２０２５年度総会／第２６３回講演会は終了しました。


【プログラム】
１.
13：30
　～14：30		 「EUVリソグラフィの現状と課題」
兵庫県立大学 渡邊 健夫　氏
EUV リソグラフィ（ EUVL ）技術は 2019 年より量産適用された。先端半導体製造では前工程の素子の３次元構造、並びに後工程の３次元実装が重要な技術となっている。前工程の微細加工技術では IRDS のロードマップによると 0.7 nm 世代まで EUVL が量産適用されることになっている。さらなる微細化に向けて、様々な技術課題がある。この技術の現状およびそれを取り巻く環境、並びに次世代のリソグラフィも含めた今後の展開について紹介していただく。
【 休　憩（10分）】
２.
14：40
　～15：40		 「EUVレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジスト材料の性能評価」
量子科学技術研究開発機構 山本 洋揮　氏
EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説していただく。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介していただく。
【 休　憩（10分）】
３.
15：50
　～16：50		 「半導体産業の歴史と半導体用フォトレジストの開発」
大阪公立大学 堀邊 英夫　氏
半導体は、素子の集積率が高いほど高性能になり、回路の微細化が必須で、現在、一つの半導体の素子数は10億単位まで増え、微細な回路を描くのに不可欠な材料の一つが、フォトレジスト(以下レジストと略)である。半導体は、リソグラフィ工程と称される、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像)、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされる工程からなり、おおよそ20回から30回繰り返される。本講演では、あらためて半導体産業の歴史を振り返ってみたい。また、我々が現在開発している化学増幅型i線用厚膜3成分 (ノボラック樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤)ポジ型レジストの溶解抑制剤の化学構造とレジスト特性との関係について紹介する。
４.
16：50
　～17：00		 ブレイクアウトルーム
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《第２６４回講演会》

日　時 ：
２０２５年６月１２日（木）１３：００～１７：００
会　場 ：
オンライン開催（Zoom）
テーマ ：
『ナノインプリント技術の新展開』

[趣旨]
微細な構造を素材表面に転写する加工技術であるナノインプリント技術は、近年、半導体デバイスやAR/VRグラス、シリコンフォトニクスの領域で大きな進展が見られており、高い関心を集めています。このような背景から、本領域で開発が進んでいる最新のナノインプリント技術に焦点を当てた４件の講演を企画しました。

[参加費]
会　員 ： 無料（オンライン開催は人数制限なし）
非会員 ： ３,０００円　　学生 ： ２,０００円　（6月5日（木）までにお振り込みください）
テキストはダウンロード形式とします

[参加申込]
当ホームページのメールフォームからお申し込みください（2025年6月5日（木）締切）。


【プログラム】
１.
13：00
　～13：50		 「ナノインプリント技術の半導体、AR/VRデバイスへの新展開」
大阪公立大学 平井 義彦　氏
ナノインプリントが提唱されて今年で30年目となる。これまでに、光学用途を中心に多くの研究開発が 行われてきた。ここではその加工メカニズムについて述べるとともに、最近の新しい動向として、半導体前 工程、後工程への応用とAR/VRグラス用光導波路への応用展開について紹介する。
＜キーワード＞ダイレクトナノインプリント、解像性、離型、リソグラフィ、傾斜型回折格子
【　休憩（10分） 】
２.
14：00
　～14：50		 「ワーキングスタンプ作製用UVナノインプリント樹脂」
東洋合成工業（株） 大幸 武司　氏
ナノインプリントは、メタバースの普及に伴う市場拡大の期待を背景に、AR（拡張現実）グラス用の光導 波路（Waveguide）製造において主要な技術として注目されている。Waveguideの製造においては、樹脂製のワーキングスタンプが使用されることが主流となっている。本講演ではマスターモールドの形状を忠実に再現しながら、高精度かつ耐久性を有するワーキングスタンプ作製用のUVナノインプリント樹脂について紹介する。
＜キーワード＞ナノインプリント、ARグラス、Waveguide、UVナノインプリント樹脂、ワーキングスタンプ
【　休憩（10分） 】
３.
15：00
　～15：50		 「UV-NILプロセス技術の開発：シリコンフォトニクスからARグラスまで」
東京科学大学 雨宮 智宏　氏
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、ナノスケールのスタンプを用いた押印技術であり、従来の露光法と違って露光波長に解像度が依存しないこと、大面積転写性や高スループット性などを有していることから、半導体における次世代リソグラフィ技術の一つとして期待されている。本講演では、NILの応用先としてシリコンフォトニクスおよびARグラスに着目し、製造技術の面から、その将来展望について述べる。
＜キーワード＞ナノインプリントリソグラフィ、シリコンフォトニクス、ARグラス
【　休憩（10分） 】
４.
16：00
　～16：50		 「半導体デバイス製造用ナノインプリントリソグラフィの開発状況」
キヤノン（株） 伊藤 俊樹　氏
半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット方式のUVナノインプリント技術を開発中である。3D NANDに始まる応用デバイスをDRAMやLogicへも拡大するためには欠陥を低減する必要がある。バブル状の欠陥を低減するため、押印時にレジスト膜中に残存する気体を消失させる技術に取り組み、速やかに透過して消失する雰囲気気体として二酸化炭素を、理論計算に基づいて選定した。さらに、押印時の巻き込み気体の体積を最小化するために、ドロップ結合型レジストとそのインプリントプロセスを開発した。
＜キーワード＞ナノインプリント、リソグラフィー、レジスト、半導体、インクジェット
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《協賛講演会》 ＝第１９０回ラドテック研究会講演会＝

期　日 ：
２０２５年６月１９日（木）１３：００～１６：００
会　場 ：
早稲田大学内コマツ100周年記念ホール
主　催 ：
一般社団法人ラドテック研究会
【プログラム】
１.
13：00
　～13：40
質疑応答含む		 「UV ナノインプリントリソグラフィ充填プロセスの分子動力学シミュレーション」
東京理科大学 安藤　格士　氏
２.
13：40
　～14：20
質疑応答含む		 「車載向けUV硬化型粘着シール技術開発」
株式会社デンソー 岡本 真一　氏
【　14：20～14：40 　休憩　】
３.
14：40
　～15：20
質疑応答含む		 「多官能エステル型２級チオール　カレンズＭＴの紹介」
株式会社レゾナック 原　真尚　氏
４.
15：20
　～16：00
質疑応答含む		 「日本接着学会の紹介（+「イオンビーム照射による小口径人工血管用材料の表面改質」）」
日本接着学会会長　東京科学大学 扇澤 敏明　氏
●16：00～17：00 　定時社員総会
●17：00～18：00 　懇 　親 　会

※プログラムは変更になる場合がございます

[１．参 加 費]
10,000円（協賛団体ご所属の方）

[２．お申込み]
研究会HP（https://radtechjapan.org/20250619-2/）よりお申し込み下さい。

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《第265回フォトポリマー懇話会講演会》

日　時 ：
２０２５年６月２４日（火）１３：００～１７：５０
会　場 ：
アクリエ姫路　中ホール（〒670-0836　兵庫県姫路市神屋町143-2）
およびZoomでのハイブリッド開催
テーマ ：
『リソグラフィー材料に関する科学と技術の基礎』（フォトポリマー学会共催）

[要旨]
半導体業界の人材育成の一環として、リソグラフィー材料に関する科学と技術の基礎を学ぶ機会を提供する機会をフォトポリマー学会共催で企画した。

[参加費]
会　員 ： 2名まで無料、３名以上は3,000円/1名（オンライン開催は人数制限なし）
非会員 ： ３,０００円　　学生 ： ２,０００円

[参加申込]
当ウェブサイトのメールフォームにてお申し込みください。
※会場参加またはZoomを要選択

[締め切り]
2025年6月17日（火）


【プログラム】
（https://www.spst-photopolymer.org/icpst-photopolymer-conference/tutorial/）
でもご覧いただけます。
１.
13：00
　～13：50
（講演5分）		 「Opening remark from SPST」
兵庫県立大学 渡邊 健夫　氏
２.
13：05
　～13：10
（講演5分）		 「フォトポリマー懇話会から開会の辞」
大阪公立大学 堀邊 英夫　氏
３.
13：10
　～13：35
（講演25分）		 「半導体産業の歴史と化学増幅系3成分レジストの開発」
大阪公立大学 堀邊 英夫　氏
４.
13：35
　～14：00
（講演25分）		 「Lithography general introduction」
imec Dr. John Peterson　氏
５.
14：00
　～14：20
（講演20分）		 「i線レジストおよび非化学増幅/金属非含有レジスト」
光機能材料研究所 花畑　誠　氏
６.
14：40
　～15：10
（講演25分）		 「iKrF/ArF/ArFi/EUV/EB 化学増幅レジスト（PTD, NTD, 現像溶媒）」
（株）日立ハイテク 藤森 亨　氏
７.
15：10
　～15：35
（講演25分）		 「光酸発生剤 (PAG) と光分解型塩基 (PDB)」
富士フイルム（株） 土村　智孝　氏
８.
15：35
　～16：00
（講演25分）		 「EUV Metal containing resists」
State University of Newyork, USA Prof. Robert Brainard　氏
９.
16：20
　～16：40
（講演20分）		 「レジストろ過技術」
日本ポール（株） 梅田 徹　氏
１０.
16：40
　～17：10
（講演30分）		 「BARC, SOC, TC, MHM, リンス, シュリンク材料」
メルクエレクトロニクス（株） 片山　朋英　氏
１１.
17：10
　～17：45
（講演35分）		 「特別基調講演:3D積層CMOSイメージセンサーのプロセス技術」
ソニーセミコンダクタソリューションズ（株） 岩元 勇人　氏
１２.
17：45
　～17：50
（講演5分）		 「閉会の辞」
ASML Japan 永原 誠司　氏
１３.
18：00
　～20：00		 懇親会（無料）
●13. 18：00～20：00 　懇親会（無料）

連絡先：
岡村 晴之
大阪公立大学 大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 応用化学分野　准教授
〒599-8531 大阪府堺市中区学園町1-1
TEL: 072-254-9291
E-mail: okamura@omu.ac.jp

フォトポリマー懇話会の活動写真