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会告


《平成30年度総会》

日 時 :
2018年4月19日(木)13:00~13:20
会 場 :
森戸記念館(東京理科大学)
議 事 :
1.平成29年度事業報告承認の件
2.平成29年度収支決算ならびに年度末貸借対照表承認の件
3.平成30年度事業計画および予算案承認の件
4.その他

《第226回講演会》

日 時 :
2018年4月19日(木)13:30~17:00
会 場 :
森戸記念館(東京理科大学)
テーマ :
『次世代リソグラフィ技術の展開』

[趣旨]
次世代リソグラフィ技術とそこに展開するフォトポリマーとの係わりについて、3件の講演を企画した。現行リソグラフィの延長線上にあるEUVリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィおよび先端フォトレジスト技術について概説していただく。

[参加費]
会 員 : 1社2名まで無料(要、会員証呈示)
非会員 : 3,000円(当日受付にて)  学生 : 2,000円

[参加申込]
当ホームページのメールフォーム、またはFAXにて事務局(043-290-3460)まで。

【プログラム】
13:30~14:30 「先端フォトレジスト技術」 JSR(株) 丸山 研 氏
EUVレジストを中心に、材料およびプロセスの開発が精力的に進められている。最近の研究動向、将来展望などを含めて概説していただく。
14:30~14:40 休 憩(10分)
14:40~15:40 「半導体量産用ナノインプリントリソグラフィ技術の開発」 キヤノン(株) 伊藤 俊樹 氏
20nm以下の微細パターン形成技術として、半導体量産用のナノインプリント技術が注目されている。量産化に向けてハードウェア、材料およびプロセスの開発が精力的に進められている。該社が開発を進めている半導体量産用のナノインプリント技術とそれに必要なレジスト材料について、最近の研究動向、将来展望などを含めて概説していただく。
15:40~15:50 休 憩(10分)
15:50~16:50 「EUVリソグラフィの課題」 兵庫県立大学 渡邊 健夫 氏
EUVリソグラフィについて、ハードウェア(露光機)、プロセスおよびマスク、レジスト材料など量産適用のための技術開発が進められているが、光源開発などのさらに改良が必要な課題も残されている。このような状況の中で、技術開発の現状について概説していただく。
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《協賛講演会》 =第156回ラドテック研究会講演会=

主 催 :
一般社団法人ラドテック研究会
期 日 :
2018年4月26日(木)13:00~16:00
場 所 :
東京理科大学神楽坂キャンパス1号館17階/記念講堂
<講師と演題>
(1) 13:00~13:50
「反応現像を鍵とするエンプラ等の汎用的画像形成法の開発」 横浜国立大学 大山 俊幸 氏
(2) 13:50~14:40
「光反応を利用した機能性高分子合成」 神戸大学大学院 北山 雄己哉 氏
14:40 ~ 15:00 ♪♪♪♪♪ コーヒーブレイク ♪♪♪♪♪
(3)15:00~15:50
「半導体用フォトレジスト開発の現状と今後」 東京応化工業株式会社 平野 智之 氏
(4) 15:50~16:40
「自己剥離テープ『セルファ』の開発」 積水化学工業株式会社 畠井 宗宏 氏
◇17:00~18:30
交流会・ミニ展示会 大会議室にて

[1.参 加 費]
個人会員(本人) : 無料
法人会員 : (2名まで)無料  3名から1名10,000円
非会員 : 1名20,000円
協賛団体所属の方 : 10,000円
注 ・上記参加費には、講演要旨集1冊を含みます。

[2.申込締切日]
2018年4月13日(金)

[3.問合せ先]
一般社団法人ラドテック研究会事務局
〒102-0082 千代田区一番町23-2 番町ロイヤルコート207
TEL:03-6261-2750 FAX:03-6261-2751
E-mail:staff@radtechjapan.org

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